回应后摩尔时代 陆公布修订后「集成电路布图设计保护条例」

中国大陆正进一步加强科技保护。大陆国务院总理李强日前签署国务院令，公布修订后的「集成电路布图设计保护条例」，自2026年10月15日起施行。《条例》旨在保护集成电路布图设计专有权，鼓励集成电路技术创新，促进科学技术发展。

据悉，现行条例于2001年公布施行，至今已25年，此次为首次全面修订。修订后条例共6章54条。

修订的主要内容包括：

一、明确总体要求。规定集成电路布图设计保护工作应当贯彻党和国家知识产权战略部署，扩展保护范围，强调诚实信用；

二、完善申请、审查程序。规制虚假申请，细化材料要求，完善驳回、撤销程序，增加权利恢复程序；

三、加强专有权保护。明确权利范围界定标准，加大侵权赔偿力度；

四、促进布图设计运用。加强公共服务，明确奖酬措施，完善转让、许可、出质要求，规范共有人权利行使。

值得注意的是，条例引入惩罚性规定，大陆司法部、国家知识产权局负责人就《条例》修订答记者问时表示，规定侵权赔偿额按照权利人受到的实际损失或者侵权人获得的利益确定；难以确定的，参照许可使用费的倍数合理确定；情节严重的，适用惩罚性赔偿。

有观点认为，该条例修订对产业释出几个讯号：一是立法回应后摩尔时代，保护范围从「半导体」扩充至「半导体+光子+量子」，这也向光子计算、量子晶片等下一代电路设计企业发出布图设计在大陆国内能获得专有权保护；二是条例针对性引入「独创性声明制度」为长期维权难的问题提供保障；三是侵权赔偿走向惩罚，故意侵权最高可罚5倍。

本文转自：TNT时报