长鑫加码记忆体晶圆测试

大陆DRAM企业长鑫科技上市近两个月，拟动用IPO超募资金，加码技术研发和记忆体晶圆测试，两项目总投资达人民币349亿元（约新台币1,654亿元）。

分析师认为，这两大投资专案，将从技术壁垒、产能效率、产业链格局，全面强化长鑫科技的核心竞争力。其中对长鑫科技自身的直接影响是技术代差快速收窄、彻底打通IDM全链条堵点。

长鑫科技表示，面对复杂的产业格局和技术路径，公司必须依托持续的研发投入，驱动技术的代际演进，确保新产品在存储密度、功耗控制及读写性能上不断实现质的飞跃。这不仅是满足市场需求的关键，更是构筑企业深厚护城河、提升抗风险能力的必由之路。

此外，晶圆测试是DRAM生产中不可或缺的关键环节，透过自建记忆体晶圆后道测试和模组项目，能够更灵活协调测试产能利用，降低公司DRAM晶片测试成本，提升运营效率和测试技术，有利于进一步完善IDM模式、增强整体竞争力。

本文转自：TNT时报