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长鑫 DRAM 产能拚增三成 一年内每月提高至42万片

来源: 未知 时间:2026-10-23 20:05 作者:admin 浏览: ->手机浏览此文章

据TrendForce与Counterpoint Research联合发布的最新行业研究报告,大陆记忆体巨头长鑫存储未来几年将大幅拉升整体DRAM产能,其中最受关注的规划是,预计在未来一年内新增超过十万片晶圆的月产能,直接把当前约32万片的总月产能提升至42万片以上,增幅超过三成。

随著全球人工智慧热潮持续走高,高阶高频宽记忆体(HBM)需求一路暴涨,大陆本土DRAM制造商长鑫存储正加速推进全产品线产能扩张,瞄准传统通用记忆体市场的供应缺口。

快科技报导,按照当前扩产节奏顺利推进,到2028年底长鑫存储的DRAM月产能有望进一步跃升至60万片,较当前水准直接增长87.5%,整体规模增速远超全球其他记忆体厂商。

多家研究机构一致认为,眼下三星电子、SK海力士和美光等全球龙头记忆体厂商,都把绝大多数资源倾斜投入到利润更高、下游需求更旺盛的HBM产品线上,原本供给稳定的普通消费级DRAM市场,已经悄然出现整体供给紧张的局面。

这些海外大厂现在都在优先保障AI伺服器和资料中心客户的HBM订单,自然就挤占了不少通用DRAM的产能配额。

和海外大厂的赛道倾斜策略不同,长鑫存储目前的发展重心仍然放在标准通用DRAM产品领域,通用DRAM的制造难度和技术门槛相对更低,公司可以集中更多资源快速扩张产能,重点覆盖受近期记忆体短缺影响最明显的消费电子市场。

公开披露资料显示,长鑫存储计划在2027年整体DRAM产能提升31%,2028年再进一步完成87.5%的扩产目标,支撑这一轮大规模产能扩张的核心支点,就是在北京亦庄现有厂区内建设‌第二座12英寸DRAM晶圆厂‌。此前已有公开信息显示,该专案正在对接各级政府层面的专项支援。

本文转自:TNT时报

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