有些人甚至指出，尽管长鑫存储在HBM领域取得了快速进展，但其HBM3解决方案不太可能在今年内准备就绪。

此外，长电科技（JCET）发布基于2.5D堆叠技术的HBM3e封装解决方案。此DRAM旨在实现单堆叠960GB/s的频宽，并且相比前代产品，互连密度提高20%。长电科技自控的HBM3E方案的问题不在于设计，而在于其制造能力不足。因此，他们只能将技术外包进行生产。

中国HBM3芯片生产的延迟将给华为等国内人工智慧芯片制造商造成暂时的瓶颈，他们将不得不依赖外部解决方案，或者推迟其下一代产品的发布，直到长鑫存储等公司开始量产。

长鑫存储在HBM3的生产方面遇到瓶颈，其HBM3记忆体是其第四代HBM解决方案，最初计划于2026年上半年发布，但尚未接到任何量产订单。（路透）