报道称，本轮芯片出口高增长，与AI基础设施大规模扩容，数据中心对DRAM和NAND Flash的需求急剧放大有关。 在供给端，三星、SK海力士等原厂的先进产能80%至90%都被AI高端内存（HBM）所吞噬，通用记忆体产能被系统性压减。 供需缺口直接反映在价格上。

据TrendForce集邦咨询的数据，2026年第2季，常规DRAM合约价将较前季上涨58%至63%，NAND Flash合约价涨幅预计将达70%至75%。 近15个月，内存芯片均价累计涨幅已超过400%。

观察者网表示，推动中国大陆芯片大幅成长的第二具引擎则是成熟制程的价值重估。 记忆体芯片的定价权很大程度由三大厂（三星、SK海力士、美光）掌握。 但4月中国大陆芯片出口翻倍的另一原因，来自在成熟制程领域的规模效应。

报道指称，目前中国大陆28纳米及以上成熟制程产能全球占比已接近30%。 而全球70%至75%的芯片需求都集中在成熟工艺领域，包括汽车电子、工业控制、家用电器等，这些领域不需要追求极致功耗和先进制程，但对成本极度敏感。

不过，观察者网也提到，尽管中国大陆芯片4月出口翻倍成长，但2026年第1季，中国大陆芯片的贸易逆差仍达到555.4亿美元，逆差规模较去年同期有所扩大。 中国大陆进口的高端芯片、先进设备及部分核心材料，其价值远超出口的成熟制程产品。